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Artigo de periodico
Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, v. 86, p. 213111, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1931027. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, 86, 213111. doi:10.1063/1.1931027
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Artigo de periodico
Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces. Applied Surface Science, v. 244, p. 124-128, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces. Applied Surface Science, 244, 124-128. doi:10.1016/j.apsusc.2004.09.165
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces [Internet]. Applied Surface Science. 2005 ; 244 124-128.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces [Internet]. Applied Surface Science. 2005 ; 244 124-128.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165
Trabalho de evento-resumo
Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces (2004)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf
Artigo de periodico
Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2' (2004)
Scopel, W L; Silva, Antonio Jose Roque da; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOPEL, W L et al. Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2'. Applied Physics Letters, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2'. Applied Physics Letters. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana W, Fazzio A. Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2' [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana W, Fazzio A. Comparative study of defect energetics in Hf'O IND.2' and Si'O IND. 2' [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000084000009001492000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2004)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, v. 566-568, p. 728-732, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, 566-568, 728-732. doi:10.1016/j.susc.2004.06.006
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Trabalho de evento-resumo
Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces (2004)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
Artigo de periodico
Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si 'O IND. 2' (2004)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si 'O IND. 2'. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000012125206000001&idtype=cvips. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si 'O IND. 2'. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000012125206000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si 'O IND. 2' [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000012125206000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si 'O IND. 2' [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000012125206000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' (2004)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Programação. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2'. 2004, Anais.. Salvador: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2'. In Programação. Salvador: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube adsorbed on Si(001) (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: European Conference on Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube adsorbed on Si(001). In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Fazzio, Adalberto; Miwa, R H
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto e MIWA, R H. Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Fazzio, A., & Miwa, R. H. (2003). Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Orellana W, Fazzio A, Miwa RH. Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Vancouver
Orellana W, Fazzio A, Miwa RH. Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Energetic of nitridation processes in 'SiO IND.2' (2003)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Energetic of nitridation processes in 'SiO IND.2'. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Energetic of nitridation processes in 'SiO IND.2'. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Energetic of nitridation processes in 'SiO IND.2'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Energetic of nitridation processes in 'SiO IND.2'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Relatorio tecnico
Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' (2003)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2'. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0311/0311634.pdf. Acesso em: 30 abr. 2024. , 2003
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2'. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0311/0311634.pdf
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' [Internet]. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0311/0311634.pdf
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' [Internet]. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://xxx.if.usp.br/PS_cache/cond-mat/pdf/0311/0311634.pdf
Artigo de periodico
Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom (2003)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, OXIDAÇÃO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom. Physical Review Letters, v. 90, n. 1, p. 016103/1-016103/4, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom. Physical Review Letters, 90( 1), 016103/1-016103/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 90( 1): 016103/1-016103/4.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 90( 1): 016103/1-016103/4.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Trabalho de evento
Carbon nanotube adsorbed on Si(001) (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Conference titles: European Conference on Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). 2003, Anais.. S.L: s.n, 2003. . Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube adsorbed on Si(001). In . S.L: s.n.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). 2003 ;(S.L. : s.):[citado 2024 abr. 30 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). 2003 ;(S.L. : s.):[citado 2024 abr. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Energetic and structural properties of N incorporation in Si'O IND. 2' (2003)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Energetic and structural properties of N incorporation in Si'O IND. 2'. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Energetic and structural properties of N incorporation in Si'O IND. 2'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Energetic and structural properties of N incorporation in Si'O IND. 2'. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Energetic and structural properties of N incorporation in Si'O IND. 2'. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Artigo de periodico
First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Physical Review Letters, v. 91, n. 16, p. 166802/1-166802/4, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Physical Review Letters, 91( 16), 166802/1-166802/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 91( 16): 166802/1-166802/4.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 91( 16): 166802/1-166802/4.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface (2002)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Programa e Livros de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. In Programa e Livros de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. Programa e Livros de Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effect on the oxidation at the Si/'SiO IND.2' interface. Programa e Livros de Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 30 ]
Artigo de periodico
Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs (2002)
Orellana, W; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, v. 81, n. 20, p. 3816-3818, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1521571. Acesso em: 30 abr. 2024.
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2002). Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, 81( 20), 3816-3818. doi:10.1063/1.1521571
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2024 abr. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571

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